PJ-RSJ SiC რეაქტიული სინთეზირების ვაკუუმური ღუმელი

მოდელის შესავალი

პიჯეი-RSJ ვაკუუმური ღუმელი განკუთვნილია SiC პროდუქტების სინთეზირებისთვის. გამოდგება SiC პროდუქტების რეაქტიული სინთეზირებისთვის. გრაფიტის მუფლით, სილიციუმის აორთქლებით დაბინძურების თავიდან ასაცილებლად.

SiC რეაქტიული სინთეზირება არის დენსიფიკაციის პროცესი, რომლის დროსაც რეაქტიული თხევადი სილიციუმი ან სილიციუმის შენადნობი შეჰყავთ ნახშირბადის შემცველ ფოროვან კერამიკულ სხეულში სილიციუმის კარბიდის წარმოსაქმნელად და შემდეგ უერთდება საწყის სილიციუმის კარბიდის ნაწილაკებს სხეულში დარჩენილი ფორების შესავსებად.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი

პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

ძირითადი სპეციფიკაცია

მოდელის კოდი		სამუშაო ზონის ზომა მმ			დატვირთვის ტევადობა კგ
მოდელის კოდი		სიგრძე	სიგანე	სიმაღლე	დატვირთვის ტევადობა კგ
პიჯეი-RSJ	322	300	200	200	100
პიჯეი-RSJ	633	600	300	300	200
პიჯეი-RSJ	933	900	300	300	400
პიჯეი-RSJ	1244 წელი	1200	400	400	600
პიჯეი-RSJ	1855 წელი	1800 წელი	500	500	1000
პიჯეი-RSJ	322	300	200	200	100
მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა:1800℃ ტემპერატურის ერთგვაროვნება:≤±5℃ 1300℃-ში; ≤±10℃ 1600℃-ში; ≤±20℃ 1600℃-ზე მაღალ ტემპერატურაზე მაქსიმალური ვაკუუმი:4.010^-1პა; წნევის მომატების სიხშირე:≤0.67 პა/სთ; გაზის გაგრილების წნევა:*<2 ბარი.